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J-GLOBAL ID：200903053326726704
半導体発光素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
朝日奈 宗太 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994202477
Publication number (International publication number)：1996064870
Application date： Aug. 26, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：
【要約】【目的】 Inの混晶比にかかわらず発光波長の変化の幅が広い半導体発光素子を提供することを目的とする。【構成】 基板上に少なくともn型層4およびp型層6を含み発光層5を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されてなる半導体発光素子であって、前記少なくとも発光層のチッ化ガリウム系化合物半導体のチッ素の一部がリンおよび/またはヒ素と置換されている。
Claim (excerpt)：
基板上に少なくともn型層およびp型層を含み発光部を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されてなる半導体発光素子であって、前記少なくとも発光部のチッ化ガリウム系化合物半導体のチッ素の一部がリンおよび/またはヒ素と置換した化合物半導体である半導体発光素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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