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J-GLOBAL ID：200903053327413920

中間層を有する磁気トンネル接合装置

Inventor： ウープトス,ウォウテル
Applicant, Patent owner： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000619038
Publication number (International publication number)：2003500837
Application date： May. 01, 2000
Publication date： Jan. 07, 2003
Summary：

【要約】磁気トンネル接合装置は、強磁性材料の一対の電極層(1,9)と絶縁材料の介在される障壁層(5)とを有する多層構造を具備する。低い抵抗を実現するために多層構造は、障壁層と一方の電極層の間に設けられ、対応する電極層の材料の仕事関数の値よりも少なくとも25%低い値の仕事関数を有する導電性材料を有する中間層(3,7)を更に含む。

Claim (excerpt)：

強磁性材料の一対の電極層と絶縁材料の介在されるトンネル障壁層とを有する多層構造が設けられる磁気トンネル接合装置であって、 上記多層構造は、上記障壁層と一方の上記電極層の間に設けられ、上記対応する上記電極層の材料の仕事関数の値よりも少なくとも25%低い値の仕事関数の導電性の材料を有する中間層を更に含むことを特徴とする磁気トンネル接合装置。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39

FI (3)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/06 R

F-Term (8)：

2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA09 ,  5D034BA15 ,  5D034CA08