Pat

J-GLOBAL ID：200903053332889879

面積の大きな基板の処理のためのプラズマ反応装置

Inventor： シュミット,ジャック
Applicant, Patent owner： ユナキス・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト
Agent (1)： 深見 久郎 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001516221
Publication number (International publication number)：2003506889
Application date： Aug. 08, 2000
Publication date： Feb. 18, 2003
Summary：

【要約】本質的に面積の大きな基板(15)の処理のための高周波プラズマ反応装置(1)が開示されており、該反応装置はプラズマ反応装置の電極(3,5)の間に平らでない表面断面形状を有する固体のもしくはガス状の誘電層(11)を有しており、該誘電層は、反応装置内のプロセス不均一性を補償することができるために、または設定した分布プロファイルを発生させることができるために設計されている。

Claim (excerpt)：

容量結合型高周波プラズマ反応装置(1,20)であって、 - 少なくとも2つの導電性の、相互に分離した電極(3,5)、その際、いずれもの電極が外側の表面(3a,5a)を有している、 - これら電極(3,5)間に囲まれた内側のプロセス空間(13)、 - 内側のプロセス空間(13)に反応ガスを供給するためのガス供給装置(7)、 - プロセス空間(13)内のプラズマ放電の発生のための、電極(3,5)の少なくとも一方と接点(9a)で結合している少なくとも1つの高周波発生器(9)、 - 反応装置から反応ガスを除去するための装置(8)、 - 内側のプロセス空間の境界形成しかつプラズマ放電のプロセス工程にさらされるべき、少なくとも1つの基板(15)、その際、該基板(15)は平面(15a)上に広がりかつ電極(3,5)間に配置されている、からなる反応装置において、 該反応装置(1,20)が少なくとも1つの誘電性層(11)を有しており、該層が内側のプロセス空間の外側に存在しており、かつ静電容量として該基板(15)および該プラズマと電気的に直列に接続されており、その際、設定した分布プロフィールを発生させるために、殊に反応装置内のプロセス不均一性を補償するために、該誘電層(11)が不均一な面静電容量範囲を少なくとも該平面(15a)に向かって有していることを特徴とする反応装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/205 ,  H05H 1/46 B ,  H05H 1/46 C ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C

F-Term (15)：

5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA07 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BD04 ,  5F045AA08 ,  5F045BB02 ,  5F045DP02 ,  5F045EB02 ,  5F045EF05 ,  5F045EH03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-326840   Applicant：住友金属工業株式会社