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J-GLOBAL ID：200903053336203939

反射防止膜およびそれを有する二層構造感放射線性レジストとその製造方法およびそれを用いたレジストパターン形成方法

Inventor： 丹羽 淳 ,  森 与一
Applicant, Patent owner： 東レ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994029428
Publication number (International publication number)：1995239549
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 二層構造感放射線性レジストに関わり、LSI製造におけるリソグラフィプロセスにおいて基板からの放射線反射を低減する。【構成】 電子求引性官能基とハロゲン基とを有する共役系重合体を主成分としたことを特徴とする薄膜。

Claim (excerpt)：

電子求引性官能基とハロゲン基とを有する共役系重合体を主成分としたことを特徴とする反射防止膜。

IPC (7)：

G03F 7/11 502 ,  C08F 2/34 MCH ,  C08F138/02 MPU ,  C08L 49/00 LKM ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 573 ,  H01L 21/30 574