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J-GLOBAL ID：200903053347514707

HSQで間隙充填されたパターニングされた金属層を備えるボーダレスバイア

Inventor： チェン,ロバート・シィ ,  シールズ,ジェフリー・エイ ,  ドーソン,ロバート ,  トラン,カーン
Applicant, Patent owner： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 深見 久郎 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000516371
Publication number (International publication number)：2001520459
Application date： Oct. 16, 1998
Publication date： Oct. 30, 2001
Summary：

【要約】高密度多金属層の半導体装置の製造において、スピン・オンHSQ(52)を利用して、金属層を間隙充填する。O2含有プラズマを用いるフォトレジスト除去で起こる、ボーダレスバイア(55)形成中における、堆積されたHSQ層の劣化は、障壁層(57)などの導電性材料(56、57)でバイア開口部を充填する前に、H2含有プラズマで劣化したHSQ層(52)を処理してSi-H未結合手を復元し、表面を不活性化し、水分吸収を防ぐことにより、克服される。

Claim (excerpt)：

Si-H結合を含有するハイドロゲンシラセスキオキサン(HSQ)を含む絶縁層を堆積するステップと、 堆積されたHSQ層をH2含有プラズマで処理しSi-H結合の数を増加させるステップとを含む、半導体装置の製造方法。

F-Term (11)：

5F058AA04 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG07 ,  5F058BA07 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-237385   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の絶縁層の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-287009   Applicant：財団法人韓国電子通信研究所
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-290589   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-315003   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-104439   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-229708   Applicant：日本電気株式会社