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J-GLOBAL ID：200903053349751838
SOI基板の製造方法およびその製造装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995245636
Publication number (International publication number)：1997092804
Application date： Sep. 25, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：
【要約】【課題】 絶縁体上に単結晶シリコン膜を有する構造(SOI構造)をもつSOI基板を、低いコストで製造する。【解決手段】 酸素原子もしくは窒素原子あるいはその両方を含む分子をプラズマ室10内で正または負のイオンにプラズマ解離する。質量分離(質量分析)せずに加速電極20を用いてプラズマ室10内で生成された正または負のイオンを所定のエネルギーをもつ加速イオンに加速する。加速イオンを反応室30内に設置されたSi基板40に照射する。加熱源50によってSi基板40に熱処理を施すことで、Si基板40内部にSi酸化膜もしくはSi窒化膜あるいはSi酸窒化膜を形成する。
Claim (excerpt)：
酸素原子を含む分子をプラズマ室内でイオンにプラズマ解離する工程と、前記工程後に加速電極を用いて前記プラズマ室内で生成された前記イオンを所定のエネルギーをもつ加速イオンに加速する工程と、該加速イオンを反応室内に設置されたシリコン基板に照射する工程と、該シリコン基板に熱処理を加えることで該シリコン基板内部にシリコン酸化膜を形成する工程とを含むSOI基板の製造方法。
IPC (4)：
H01L 27/12
, H01L 21/20
, H01L 21/265
, H01L 21/76
H01L 27/12 E
, H01L 21/20
, H01L 21/265 F
, H01L 21/265 J
, H01L 21/76 R
