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J-GLOBAL ID：200903053350877993
シリコンウェハーの加工方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991325999
Publication number (International publication number)：1993155030
Application date： Dec. 10, 1991
Publication date： Jun. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 シリコンの湿式異方性エッチング加工において、正確な3次元の所望形状を形成する。【構成】 シリコンウェハー上の深溝部あるいは深い孔と浅い溝部との間の段差部分に湿式異方性エッチングのアンダーカットにより消滅する程小さなマスクパターンを形成する。【効果】 アンダーカットによって消滅するまでに、所定時間だけ段差部のエッチング開始を局所的に遅らせることができるために、段差形状を補正し適正な段差形状を形成する事ができる。
Claim (excerpt)：
シリコン基板に深い溝部あるいは貫通孔が浅い溝部の中に含まれる構造を形成する方法において、(a)面方位(100)のシリコンウェハーにおいて、表面に耐Siエッチングマスク膜を被覆し、(b)フォトリソグラフィにより、前記シリコンウェハー上に深溝部または貫通孔を形成するためのレジストマスクパターンを形成し、(c)前記シリコンウェハー上の耐Siエッチング膜をエッチングして、その後レジストマスクパターンを除去する事により深溝部または貫通孔を形成するためのマスクパターンを形成し、(d)前記マスクパターンを形成したシリコンウェハーをSiの湿式結晶異方性エッチングにより、深溝部または貫通孔を形成し、(e)さらに3次元構造を形成するために、前記シリコンウェハー上に浅い溝部を形成するためのレジストマスクパターンと前記深溝部または貫通孔の周囲を取り囲むように幅の寸法が特定の値であるレジストマスクパターンを形成し、(f)前記シリコンウェハー上の耐Siエッチング膜をエッチングして、その後レジストを除去する事により、浅い溝部を形成するための耐エッチングマスクパターンと前記深溝部または貫通孔の周囲を取り囲むように幅の寸法が特定の値である耐エッチングマスクパターンを形成し、(g)前記マスクパターンを形成したシリコンウェハーをSiの湿式異方性エッチングにより所定深さだけエッチングし、浅い溝部を形成すると同時に浅い溝部と深溝部または貫通孔の周囲のマスクパターンをアンダーカットによって消滅させて連続した2段以上の段差構造を形成する事を特徴としたシリコンウェハーの加工方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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