高誘電率のゲート絶縁膜を有する半導体装置及びそれの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005139162
Publication number (International publication number)：2006024894
Application date： May. 11, 2005
Publication date： Jan. 26, 2006
Summary：

【課題】本発明はゲート構造物として高誘電率を有する物質として、高誘電率を有する物質からなるゲート絶縁膜を含む半導体装置及びその製造方法に関する。【解決手段】半導体装置及びその製造方法において、基板上に形成され、ハフニウムシリコン酸化物含有固体物質を含むゲート絶縁膜パターンと前記ゲート絶縁膜パターン上に形成される第1ゲート導電膜パターンを含むゲート構造物及び前記ゲート構造物と隣接する基板の表面部位に配置されており、n型不純物がドーピングされたソース/ドレイン領域を含むことを特徴とする。【選択図】図16

Claim (excerpt)：

基板上に形成され、ハフニウムシリコン酸化物含有固体物質を含むゲート絶縁膜パターンと前記ゲート絶縁膜パターン上に形成される第1ゲート導電膜パターンを含むゲート構造物と、前記ゲート構造物と隣接する基板の表面部位に配置されており、n型不純物がドーピングされたソース/ドレイン領域と、を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (10)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 21/283 , H01L 21/316 , H01L 27/092 , H01L 21/823 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (12)：

H01L29/78 301G , H01L21/28 301A , H01L21/28 301R , H01L21/283 C , H01L21/316 P , H01L27/08 321D , H01L29/78 617T , H01L29/78 617U , H01L29/78 617L , H01L29/78 613A , H01L29/78 617V , H01L29/58 G

F-Term (123)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD45 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F048AA07 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA16 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB13 , 5F048BB17 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BG13 , 5F048DA23 , 5F058BA01 , 5F058BA05 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BD05 , 5F058BD06 , 5F058BF02 , 5F058BF04 , 5F058BF23 , 5F058BF24 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BF64 , 5F058BH04 , 5F058BJ01 , 5F110AA12 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE32 , 5F110EE42 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF10 , 5F110FF26 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HM15 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110QQ08 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F140AA06 , 5F140AA24 , 5F140AB01 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BC05 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BD13 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF10 , 5F140BF14 , 5F140BF21 , 5F140BF24 , 5F140BF25 , 5F140BF27 , 5F140BF30 , 5F140BG27 , 5F140BG28 , 5F140BG32 , 5F140BG37 , 5F140BK13 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CF07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

米国特許第6,528,858号明細書
米国特許第6,617,210号明細書
米国特許出願公報第2002-0190302号明細書

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Cited by examiner (3)

半導体素子の金属ゲート形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-393197 Applicant：株式会社ハイニックスセミコンダクター
半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-246882 Applicant：株式会社東芝
原子層吸着堆積法によるハフニウムシリケート薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-191265 Applicant：株式会社高純度化学研究所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Improved Current Performance of CMOSFETs with Nitrogen Incorporated HfO2-Al2O3 Laminate Gate Dielect

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