金属錯体化合物、電子素子、デバイス、電子素子の駆動方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一 , 福田浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006243461
Publication number (International publication number)：2008066542
Application date： Sep. 07, 2006
Publication date： Mar. 21, 2008
Summary：

【課題】高密度化が可能で、実用性の高い金属錯体化合物、電子素子、およびこれを具備するデバイスを提供する。また、当該電子素子を駆動させるのに最適な電子素子の駆動方法を提供する。【解決手段】多点吸着することで固体表面に直立して単分子層を形成し、当該単分子層が他の金属イオンと錯形成することで積層化が可能で、かつ、レドックス応答性と光電子移動性とを有することを特徴とする金属錯体化合物である。金属錯体化合物が固体基板上に直立した分子配向をとる単分子層を形成しており、前記単分子層がレドックス応答性と光電子移動性とを有することを特徴とする電子素子である。また、本発明の電子素子を具備することを特徴とするデバイスである。さらに、本発明の電子素子に電位を印加した後、光を照射することで電流を検出する電子素子の駆動方法である。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

多点吸着することで固体表面に直立して単分子層を形成し、当該単分子層が他の金属イオンと錯形成することで積層化が可能で、かつ、レドックス応答性と光電子移動性とを有することを特徴とする金属錯体化合物。

IPC (7)：

H01L 51/30 , H01L 51/42 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 27/28 , C07F 15/00 , C07F 9/655

FI (9)：

H01L29/28 250F , H01L31/08 T , H01L29/28 100A , H01L29/28 100B , H01L29/28 220D , H01L29/28 310D , H01L27/10 449 , C07F15/00 A , C07F9/6558

F-Term (12)：

4H050AA01 , 4H050AA03 , 4H050AB91 , 4H050WB14 , 4H050WB21 , 5F083FZ07 , 5F083GA27 , 5F083JA60 , 5F088AA11 , 5F088AB11 , 5F088FA04 , 5F088GA01

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

「金属錯体分子ユニットの基板上でのナノ構造構築とその分子デバイスへの応用」

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