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J-GLOBAL ID：200903053357623334

非晶質シリコン薄膜の形成方法およびこれを用いた光起電力装置の製造方法

Inventor： 脇坂 健一郎 ,  佐々木 学
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991273304
Publication number (International publication number)：1993082456
Application date： Sep. 24, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、CやOを添加することなく、広いバンドギャップ及び高い光導電率を備えたa-Si膜の形成方法を提供することを目的とする。【構成】 基板1上に、一導電型の非晶質シリコン層3、i型非晶質シリコン層4、他導電型非晶質シリコン層5を形成してなる光起電力装置の製造方法において、i型非晶質シリコン層4は、プラズマCVD法を用いて膜厚100Å以下のi型非晶質シリコンの形成後、希ガスによるシリコン薄膜の改質処理を交互に繰り返し、所定の膜厚に形成する。

Claim (excerpt)：

プラズマCVD法を用いて、膜厚100Å以下のシリコン薄膜形成した後、希ガスをプラズマ反応させて、上記シリコン薄膜の改質処理を行なうことを特徴とする非晶質シリコン薄膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-072776
  
• 特開平3-217014
  
• 特開平4-346419