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J-GLOBAL ID：200903053381821040

半導体加速度センサの製造方法

Inventor： 西村 仁 ,  橋本 廣和
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992294232
Publication number (International publication number)：1994151885
Application date： Nov. 02, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】 配線材料としてアルミニウムを使用することができて製品コストを低減できる半導体加速度センサの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 先ず、半導体ウェハ1の表面に感歪抵抗となる不純物拡散領域2を選択的に形成し、SiO2 膜3及びSiN膜4をマスクとして異方性エッチングを施し、溝5,6を設ける。次に、ウェハ1の表面及び裏面にアルミニウム膜7aを被覆し、ウェハ1の表面側の溝6に対応する部分のアルミニウム膜7aを除去する。そして、アルミニウム膜7aをマスクとしてドライエッチングを施し、ウェハ1の表面から裏面に貫通する開口部9を設ける。その後、アルミニウム膜7aを利用してアルミニウム配線を形成する。

Claim (excerpt)：

質量部と、この質量部を囲む枠部と、前記質量部と前記枠部とを連絡しその表面に感歪抵抗が設けられた梁部とにより構成される半導体加速度センサの製造方法において、半導体ウェハの表面の前記梁部となる領域に前記感歪抵抗となる不純物拡散領域を選択的に形成する工程と、前記半導体ウェハの裏面側の前記質量部となる領域と前記枠部となる領域との間にウェットエッチングにより溝を形成する工程と、前記半導体ウェハの表面及び裏面にアルミニウム膜を被覆する工程と、前記半導体ウェハの表面側の前記溝に対応する領域のうち前記梁部となる領域を除いた部分の前記アルミニウム膜を除去する工程と、前記アルミニウム膜をマスクとしてドライエッチングを施し前記半導体ウェハの表面から裏面に貫通する穴を形成する工程と、前記半導体ウェハの表面上に残存した前記アルミニウム膜を利用してアルミニウム配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体センサの製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/84 ,  G01P 15/12