アクティブマトリクス基板及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994166042
Publication number (International publication number)：1996015729
Application date： Jun. 24, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】アクティブマトリクス基板表面の平坦化及び薄膜トランジスタの劣化防止を同時に達成する。【構成】アクティブマトリクス基板はマトリクス状に配列した複数の画素電極を含む上側領域と、個々の画素電極を駆動する複数の薄膜トランジスタ2を含む下側領域と、両領域の中間に介在する平坦化層11とを備えた積層構造を有する。平坦化層11は0.5μm〜5.0μmの厚みを有しており、下側領域表面の凹凸を埋め平坦化するとともに、薄膜トランジスタ2を被覆して損傷から保護する。例えば、薄膜トランジスタ2に損傷を与える事なくプラズマ雰囲気下で平坦化層11の平らな表面に透明導電膜10を成膜する事ができる。この透明導電膜10をパタニングして画素電極をマトリクス状に配列した上側領域とする。

Claim (excerpt)：

マトリクス状に配列した複数の画素電極を含む上側領域と、個々の画素電極を駆動する複数の薄膜トランジスタを含む下側領域と、両領域の中間に介在する平坦化層とを備えた積層構造を有するアクティブマトリクス基板であって、前記平坦化層は0.5μm〜5.0μmの厚みを有しており、下側領域表面の凹凸を埋め平坦化するとともに、該薄膜トランジスタを被覆して損傷から保護する事を特徴とするアクティブマトリクス基板。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786

FI (2)：

H01L 29/78 311 A , H01L 29/78 311 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開平1-124824
特開平2-136831
特開平2-234134

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