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J-GLOBAL ID：200903053405438684

トンネルトランジスタ

Inventor： 馬場 寿夫 ,  植村 哲也
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991341593
Publication number (International publication number)：1993175514
Application date： Dec. 25, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 低消費電力,高速動作,高集積化が可能なトンネル現象利用のトランジスタを提供する。【構成】 第4の半導体にn型のイオン化不純物が添加してあるため、ゲート電圧を印加しないときでも伝導帯エネルギーの低い第2の半導体表面に電子が蓄積されており、ソース・ドレイン間は等価的な薄いp+ -n+ トンネルダイオード構造が形成されている。このため、電子蓄積のための大きな正のゲート電圧を必要とせず、ゲートリーク電流が抑制できる。

Claim (excerpt)：

基板上に一導電型を有する縮退した第1の半導体と、縮退していない第2の半導体と、前記第1の半導体と反対の導電型を有し縮退した第3の半導体とを連結した構造を有し、少なくとも前記第1の半導体と第2の半導体の露出表面に前記第2の半導体よりも禁止帯幅が広く、イオン化不純物を含有する第4の半導体と、この第4の半導体上の電極を有し、前記第1の半導体と第3の半導体にそれぞれオーミック電極を設けたことを特徴とするトンネルトランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/804 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3)：

H01L 29/80 A ,  H01L 29/80 C ,  H01L 29/80 H