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J-GLOBAL ID：200903053408238856
非線形負荷の断線検出装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
長谷 照一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992280246
Publication number (International publication number)：1994130112
Application date： Oct. 19, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：
【要約】【目的】非線形負荷の断線検出装置において、非線形負荷を駆動するために採用される半導体素子の温度特性及び非線形負荷の非線形特性の両変化を考慮して、非線形負荷の断線検出を高精度にて行う。【構成】基準電圧発生回路50からの基準電圧VREF が、方向指示灯の非線形な電流ー電圧特性に近似した特性でもって変化するように形成されるとともに、パワーMOSFET30に内蔵の各ダイオード34〜36の負温度特性によりパワーMOSFET30のオン抵抗RONの正温度特性を補正されるようにする。従って、基準電圧VREFとパワーMOSFET30の端子間電圧VDS との高低比較が、バッテリ電圧VB の変動、周囲温度の変動やパワーMOSFET30の温度の変動等にもかかわらず、常に正しくなされ、コンパレータ60からの比較信号のレベルが常に精度よく特定される。
Claim (excerpt)：
直流電源から半導体素子を通し負荷電流を受けて作動する複数の非線形負荷と、前記直流電源から直流電圧を受けて定電圧を発生する定電圧発生手段と、前記直流電圧の変動に伴う前記負荷電流の変動に近似した特性にて変化するように前記定電圧に基づき基準信号を形成する基準信号形成手段と、前記複数の非線形負荷のうちの一非線形負荷の断線に伴う前記半導体素子の端子間電圧降下量の変化及び前記基準信号に基づき前記一非線形負荷の断線を検出する断線検出手段とを備え、かつ、前記半導体素子の端子間電圧降下量の温度特性に近似した特性を前記基準信号に付与する近似特性付与手段を前記基準電圧形成手段に設けるようにした非線形負荷の断線検出装置。
IPC (4)：
G01R 31/02
, B60Q 1/34
, B60Q 11/00
, H05B 37/03
