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J-GLOBAL ID：200903053433230703

ICチップ用故障断面観察方法およびその装置

Inventor： 二川 清
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 高橋 勇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994320375
Publication number (International publication number)：1996179016
Application date： Dec. 22, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】半導体ICチップ上で断面露出をすべき箇所を明確に特定し所定の観察情報を有効に捕捉し得るICチップ用故障断面観察方法等を提供する。【構成】半導体ICチップ上の故障被疑箇所を絞り込む第1の工程10と、この第1の工程10で絞り込まれた箇所に電流を供給する第2の工程11Aと、第1の工程10で絞り込まれた箇所に集束したイオンビームを照射する第3の工程11Bと、供給した電流の変化を検出する第4の工程11Cとを備え、検出された電流変化信号に基づいて表示部にて当電流変化の位置出しを行いイオンビームによる断面出しを行う第5工程12を含む。

Claim (excerpt)：

半導体ICチップ上の故障被疑箇所を絞り込む第1の工程と、この第1の工程で絞り込まれた箇所に電流を供給する第2の工程と、前記第1の工程で絞り込まれた箇所に集束したイオンビームを照射する第3の工程と、前記供給した電流の変化を検出する第4の工程とを備え、前記検出された電流変化信号に基づいて像表示部にて当該電流変化の位置出しを行いイオンビームによる断面出しを行う第5工程を含むことを特徴としたICチップ用故障断面観察方法。

IPC (5)：

G01R 31/302 ,  G01N 1/32 ,  G01R 31/26 ,  H01L 21/66 ,  G06T 7/00

FI (2)：

G01R 31/28 L ,  G06F 15/62 405 A