半導体量子ドット構造及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：光石俊郎 , 田中康幸 , 松元洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004168089
Publication number (International publication number)：2005347662
Application date： Jun. 07, 2004
Publication date： Dec. 15, 2005
Summary：

【課題】より製造可能な発光波長範囲が広く、かつ、より欠陥が少なく光学特性に優れ、作成上の制約も少ない半導体量子ドットを均一性、再現性良く作製することにある。【解決手段】半導体基板101上に半導体量子ドット105が形成される構造において、前記半導体量子ドット105が半導体基板101を構成する半導体材料とは組成、或いは構成元素が異なる半導体材料からなる少なくとも1層の薄膜半導体層106と積層されており、上記薄膜半導体層106の少なくとも1層に、又は上記薄膜半導体層106の少なくとも1層と上記半導体量子ドット105の双方にビスマスが添加されていることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上に半導体量子ドットが形成される構造において、前記半導体量子ドットが半導体基板を構成する半導体材料とは組成、或いは構成元素が異なる半導体材料からなる少なくとも1層の半導体薄膜層と積層されており、上記半導体薄膜層の少なくとも1層に、又は上記半導体薄膜層の少なくとも1層と上記半導体量子ドットの双方にビスマスが添加されていることを特徴とする半導体量子ドット構造。

IPC (2)：

H01S5/343 , H01L21/205

FI (2)：

H01S5/343 , H01L21/205

F-Term (22)：

5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045BB02 , 5F045BB03 , 5F045BB16 , 5F045DA56 , 5F173AF09 , 5F173AF12 , 5F173AF15 , 5F173AF18 , 5F173AH03 , 5F173AH04 , 5F173AJ01 , 5F173AP06 , 5F173AP60 , 5F173AQ12 , 5F173AR02 , 5F173AR82

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特許掲載公報第3239821号、「歪半導体結晶の製造方法」

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