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J-GLOBAL ID:200903053442100944

半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハの加工方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996084966
Publication number (International publication number):1997272846
Application date: Apr. 08, 1996
Publication date: Oct. 21, 1997
Summary:
【要約】【課題】 半導体ウエハ表面への汚染が少ない半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム、及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハの加工方法を提供する。【解決手段】 基材フィルムの片表面に、主モノマー(a)67〜98.9重量部、架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマー(b)1〜30重量部、及び、共重合性とアニオン性界面活性を有する特定の構造の水溶性コモノマー(c)0.1〜3重量部を含むモノマー混合物100重量部を共重合させた粘着剤ポリマー100重量部に対し、粘着剤ポリマーの官能基と架橋し得る官能基を1分子中に2つ以上有する架橋剤0.3〜15重量部を含む粘着剤層が設けられた半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム、及びそれを用いる半導体ウエハの加工方法。
Claim (excerpt):
基材フィルムの片表面に、主モノマー(a)67〜98.9重量部、架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマー(b)1〜30重量部、並びに、一般式(1)〔化1〕【化1】(式中、R1はアルキル基、アルケニル基、アルキルフェニル基、アルケニルフェニル基又は脂肪酸残基を、R2は水素原子又はメチル基を示し、Aは炭素数2〜3のアルキレン基を、nは0〜100の整数を示し、Mは1価の陽イオンを示す)及び一般式(2)〔化2〕【化2】(式中、R1はアルキル基、アルケニル基、アルキルフェニル基、アルケニルフェニル基又は脂肪酸残基を、R2は水素原子又はメチル基を示し、Aは炭素数2〜3のアルキレン基を、nは0〜100の整数を示し、Mは1価の陽イオンを示す)で表されるスルホコハク酸ジエステル塩の群から選ばれた少なくとも1種の水溶性コモノマー(c)0.1〜3重量部を含むモノマー混合物100重量部を共重合させた粘着剤ポリマー100重量部に対し、粘着剤ポリマーの官能基と架橋し得る官能基を1分子中に2つ以上有する架橋剤0.3〜15重量部を含む粘着剤層が設けられていることを特徴とする半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム。
IPC (8):
C09J 7/02 JKK ,  C09J 7/02 JJW ,  C09J 7/02 JJY ,  C09J 7/02 JJZ ,  C09J 7/02 JKA ,  C09J 7/02 JKE ,  C09J 7/02 JLE ,  H01L 21/304 321
FI (8):
C09J 7/02 JKK ,  C09J 7/02 JJW ,  C09J 7/02 JJY ,  C09J 7/02 JJZ ,  C09J 7/02 JKA ,  C09J 7/02 JKE ,  C09J 7/02 JLE ,  H01L 21/304 321 B
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • 特開昭62-101678
  • 特開昭63-296222

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