Pat

J-GLOBAL ID：200903053446976321

ニューロ素子

Inventor： 中村 孝
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 稲岡 耕作 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992174558
Publication number (International publication number)：1994021531
Application date： Jul. 01, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 微小面積で、不揮発性を有し、信頼性の高いニューロ素子を提供する。【構成】 入力電圧V1 〜Vn が何れの入力端子I1 〜In により送信されてきたかに応じて、各入力電圧V1 〜Vn に対してそれぞれ異なる値を重み付けする重み付け手段として、電極間に印加される印加電圧の変化に応じて、半導体物質のアモルファス状態となる領域と、結晶状態となる領域との占有割合が変化するよう構成された可変抵抗器R1 〜Rn を使用し、可変抵抗器R1 〜Rn によって重み付けされた入力信号に基づいて、演算回路100が演算を行い、演算値が所定の値に達したときに、出力端子を介して出力電圧Vを出力するよう構成した。

Claim (excerpt)：

入力信号が何れの入力手段により送信されてきたかに応じて、各入力信号に対してそれぞれ異なる値を重み付けする複数の重み付け手段と、これら複数の重み付け手段によって重み付けされた入力信号が入力されるとともに、入力された入力信号に基づいて演算を行い、演算値が所定の値に達したときに出力を行う演算手段とを備え、上記重み付け手段は、第1電極と、第1電極に対して所定間隔をあけて対向して配置された第2電極と、両電極の間に充たされ、アモルファス状態において高抵抗を有し、結晶状態において低抵抗を有し、かつ電気信号により、アモルファス状態および結晶状態の2状態間の転移を可逆的に切り換え可能な半導体物質とを備え、上記両電極間に印加される印加電圧の変化に応じて、上記半導体物質のアモルファス状態となる領域と、結晶状態となる領域との占有割合が変化するよう構成された可変抵抗器を含むことを特徴とするニューロ素子。

IPC (2)：

H01L 49/00 ,  H01L 27/10 451