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J-GLOBAL ID：200903053460091952
気相成長装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991161576
Publication number (International publication number)：1993017286
Application date： Jul. 02, 1991
Publication date： Jan. 26, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 組成制御性の優れた気相成長装置を提供する。【構成】 原料容器11に充填した原料に第一の流量制御装置により流量を制御して搬送ガスを送入し生成された原料ガスを輸送する第一の導路1と、第一の導路に接続し生成された原料ガスと第二の流量制御装置により流量が制御された搬送ガスとを混合し圧力制御装置を介して反応容器内へ送入する第二の導路2と、前記第二の流量制御装置部により流量が制御された搬送ガスの一部を第三の流量制御装置部を通じて直接に反応容器内へ送入する第三の導路3とを具備した。【効果】 蒸気圧の低い原料を使用する気相成長法においても成長する薄膜の組成制御性を向上する事ができる。
Claim (excerpt)：
原料を充填した原料充填容器と、前記原料に第一の流量制御装置により流量を制御して搬送ガスを送入し生成された原料ガスを輸送する第一の導路と、前記第一の導路に接続し前記生成された原料ガスと第二の流量制御装置部により流量が制御された搬送ガスとを混合し圧力制御装置を介して反応容器内へ送入する第二の導路と、前記第二の流量制御装置部により流量が制御された搬送ガスの一部を第三の流量制御装置部を通じて直接に前記反応容器内へ送入する第三の導路とを具備した事を特徴とする気相成長装置。
Patent cited by the Patent：
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