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J-GLOBAL ID：200903053460107182

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 田中 義幸 ,  岡本 豊
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992157838
Publication number (International publication number)：1994005094
Application date： Jun. 17, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、未使用のページであっても正しく読み出すことができてハードディスク装置と互換性を持たせることを目的とする。【構成】 メモリ手段10の初期化時において各ページに所定のデータと該所定のデータに対応した誤り訂正用データとを書き込む制御手段110を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

それぞれファイルデータ及び誤り訂正用データを記憶する領域を備えた複数のページから構成されるメモリ手段と、該メモリ手段の初期化時に前記各ページに所定のデータと該所定のデータに対応した誤り訂正用データとを書き込む制御手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2)：

G11C 29/00 302 ,  G11C 16/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-141900
  
• 特開平2-292798
  
• 特開平4-163966