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J-GLOBAL ID：200903053478600170

フラッシュメモリ書換え制御方法

Inventor： 鶴野 幸一郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000110285
Publication number (International publication number)：2001297589
Application date： Apr. 12, 2000
Publication date： Oct. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 フラッシュメモリのセクタ消去、データ書込みに時間がかかっている。フラッシュメモリを備えた組込みシステムにおいて、セクタ消去時間及びデータ書込み時間を短縮できるフラッシュメモリ書換え制御方法を提供することを目的としている。【解決手段】 データを書込む前の消去された状態の値と同じデータを書込む際に、そのまま書込まず、書込みシーケンスをスキップすることによって、データ書込み時間を短縮することが出来る。また、フラッシュメモリへの書込み状態を管理することにより、必要最低限のセクタを消去することにより、セクタ消去時間を節約できる。

Claim (excerpt)：

フラッシュメモリを備えた組込みシステムにおいて、データを書込む前の消去された状態の値と同じデータを書込む際に、そのまま書込まず、書込みシーケンスをスキップすることを特徴とするフラッシュメモリ書換え制御方法。

IPC (2)：

G11C 16/02 ,  G06F 12/00 542

FI (3)：

G06F 12/00 542 L ,  G11C 17/00 611 C ,  G11C 17/00 612 F

F-Term (6)：

5B025AD01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD08 ,  5B025AE05 ,  5B082GA18 ,  5B082JA04