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J-GLOBAL ID:200903053493128010

保護素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 田治米 登 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000331004
Publication number (International publication number):2001126903
Application date: Feb. 28, 1995
Publication date: May. 11, 2001
Summary:
【要約】【目的】 過電流時及び過電圧時の双方において保護素子として動作し、かつ、過電流時あるいは過電圧時に動作した後も、できる限り素子の再使用を可能とする。【構成】 保護素子30を、基板上にPTC素子1と低融点金属体2とを直列に配し、かつそのPTC素子1又は低融点金属体2に近接して発熱体3を設けることにより構成する。
Claim (excerpt):
基板上に、PTC素子と低融点金属体とが直列に配され、かつそのPTC素子又は低融点金属体に近接して発熱体が設けられ、該発熱体が、PTC素子又は低融点金属体に対して並列に配されている保護素子であって、被保護装置への平常時の通電が、前記直列に接続されたPTC素子と低融点金属体を通してなされることを特徴とする保護素子。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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