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J-GLOBAL ID：200903053494575851

ジョセフソン素子の動作計算方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Inventor： 奥 隆 之 ,  清 水 裕 彦 ,  佐 藤 広 海 ,  大 谷 航 ,  加 藤 博 ,  宮 坂 浩 正 ,  大 谷 知 行 ,  川 井 和 彦 ,  池 田 時 浩 ,  渡 辺 博 ,  瀧 澤 慶 之 ,  仲 川 博 ,  青 柳 昌 宏 ,  赤 穂 博 司
Applicant, Patent owner： 経済産業省産業技術総合研究所長 ,  理化学研究所
Agent (2)： 佐藤 一雄 (外3名) ,  佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999370337
Publication number (International publication number)：2001185772
Application date： Dec. 27, 1999
Publication date： Jul. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】 従来よりもはるかに正確且つ容易にジョセフソン素子の動作を再現することができるジョセフソン素子の動作計算方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することを目的とする。【解決手段】 ジョセフソン素子のコンダクタンスの電圧依存性を考慮することにより、ジョセフソン素子の電流電圧特性を正確に計算することができる。例えば、ギャップ電圧よりも高い電圧および低い電圧におけるジョセフソン素子のコンダクタンスをそれぞれ考慮することにより、ジョセフソン素子の超伝導状態と常伝導状態のそれぞれにおける電流電圧特性を正確に計算することができる。また、ジョセフソン素子が電圧状態にあるとき、位相差が増加または減少し続けてある値に達したらその値をリセットすることにより、変数のオーバーフローを解消し、変数の桁落ちによる計算のミスを防ぐことができる。

Claim (excerpt)：

2つの超伝導体がトンネル接合してなるジョセフソン素子の接合電流を計算するジョセフソン素子の動作計算方法であって、前記ジョセフソン素子の両端に生ずる電位差がギャップ電圧よりも低い条件における前記ジョセフソン素子の等価抵抗Rと、前記ジョセフソン素子の両端に生ずる電位差がギャップ電圧よりも高い条件における前記ジョセフソン素子の等価抵抗Rと、が異なるものとして前記接合電流を計算することを特徴とするジョセフソン素子の動作計算方法。

IPC (2)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/22

FI (2)：

H01L 39/22 ZAA A ,  H01L 39/22 ZAA Z

F-Term (6)：

4M113AA01 ,  4M113AA23 ,  4M113AC06 ,  4M113AC32 ,  4M113AD01 ,  4M113AD21

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 超伝導エレクトロニクス, 19950831, pp.95-97
• 超伝導エレクトロニクス, 19950831, pp.95-97