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J-GLOBAL ID：200903053499687046
半導体多層膜の層厚評価方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高山 敏夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997209971
Publication number (International publication number)：1999040635
Application date： Jul. 18, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：
【要約】【課題】 半導体多層膜の各層の厚さを非破壊で精度よく評価できるようにし、信憑性の高い膜厚データを得られるようにする。【解決手段】 本発明に係る半導体多層膜の層厚評価方法は、半導体多層膜の各層の層厚を分光エリプソメトリ法で評価する方法において、前記半導体多層膜の各層毎に、層厚の設定値を中心値としてその前後に層厚を変化させた場合の、それぞれのエリプソメトリパターンをシミュレーションにより求め、層厚に対してエリプソメトリパターンが敏感な波長領域を各層毎に決定し、前記半導体多層膜を構成する各層毎に、その層を除く層の層厚パラメータを固定し、前記測定されたエリプソメトリパターンの前記決定された敏感な波長領域を選択して各層毎にシミュレーションフィットする工程を、前記半導体多層膜の全層にわたって行うことを特徴とするものである。図1から本発明による評価値はTEM評価値に近似しており、従来による評価値よりもはるかに信憑性が高いことが明らかである。
Claim (excerpt)：
半導体多層膜の各層の層厚を分光エリプソメトリ法で評価する方法において、前記半導体多層膜の各層毎に、層厚の設定値を中心値としてその前後に層厚を変化させた場合の、それぞれのエリプソメトリパターンをシミュレーションにより求め、層厚に対してエリプソメトリパターンが敏感な波長領域を各層毎に決定し、前記半導体多層膜を構成する各層毎に、その層を除く層の層厚パラメータを固定し、前記測定されたエリプソメトリパターンの前記決定された敏感な波長領域を選択して各層毎にシミュレーションフィットする工程を、前記半導体多層膜の全層にわたって行うことを特徴とする半導体多層膜の層厚評価方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/66 P
, G01B 11/06 H
