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J-GLOBAL ID：200903053517780636

MEMSトランスデューサおよびその製造方法

Inventor：
大村 昌良

About 大村 昌良

, 
鈴木 民人

About 鈴木 民人


Applicant, Patent owner：
ヤマハ株式会社

About ヤマハ株式会社


Agent (2)： 吉田 大 ,  岩上 渉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007341440
Publication number (International publication number)：2009164851
Application date： Dec. 28, 2007
Publication date： Jul. 23, 2009
Summary：
【課題】MEMSトランスデューサの機械的な機能を阻害することなくMEMSトランスデューサの電極を保護することを目的とする。【解決手段】導電性を有するダイヤフラムと、導電性を有するプレートと、前記ダイヤフラムと前記プレートとの間に空隙層を挟んで前記ダイヤフラムと前記プレートとを支持し、前記空隙層を囲む内壁を備える支持部と、前記支持部に形成されているコンタクトホールを覆う導電性の電極膜と、前記内壁より外側において前記支持部の上に形成され前記電極膜の側面を覆う保護膜と、を備え、前記ダイヤフラムと前記プレートとで形成される静電容量に対応する電気信号が前記電極膜を通じて出力される、MEMSトランスデューサ。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
導電性を有するダイヤフラムと、 導電性を有するプレートと、 前記ダイヤフラムと前記プレートとの間に空隙層を挟んで前記ダイヤフラムと前記プレートとを支持し、前記空隙層を囲む内壁を備える支持部と、 前記支持部に形成されているコンタクトホールを覆う導電性の電極膜と、 前記内壁より外側において前記支持部の上に形成され前記電極膜の側面を覆う保護膜と、 を備え、 前記ダイヤフラムと前記プレートとで形成される静電容量に対応する電気信号が前記電極膜を通じて出力される、 MEMSトランスデューサ。
IPC (6)：
H04R 19/04 ,  H04R 31/00 ,  H01L 29/84 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  G01L 1/14
FI (6)：
H04R19/04 ,  H04R31/00 C ,  H01L29/84 Z ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L1/14 K
F-Term (34)：
3C081AA01 ,  3C081BA30 ,  3C081BA44 ,  3C081BA45 ,  3C081BA48 ,  3C081CA02 ,  3C081CA14 ,  3C081CA28 ,  3C081CA29 ,  3C081DA22 ,  3C081DA26 ,  3C081DA27 ,  3C081DA30 ,  3C081EA21 ,  4M112AA06 ,  4M112BA07 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA04 ,  4M112CA11 ,  4M112CA13 ,  4M112CA14 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112EA18 ,  4M112FA20 ,  5D021CC07 ,  5D021CC20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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