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J-GLOBAL ID：200903053520584759

炭化珪素半導体装置

Inventor： 片岡 光浩 ,  中村 広希 ,  大矢 信之
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999326936
Publication number (International publication number)：2001144288
Application date： Nov. 17, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】 MOSFETのさらなるオン抵抗低減を図る。【解決手段】 表面チャネル層5に形成されたチャネル領域を流れる電流の方向が[11-20]に設定されるようにする。このように、チャネル領域を流れる電流の方向をチャネル移動度が最大となる[11-20]方向に設定することにより、チャネル抵抗を低減することができ、MOSにおいてさらなるオン抵抗の低減を図ることができる。

Claim (excerpt)：

主表面(1a)及び該主表面の反対面である裏面(1b)を有し、炭化珪素よりなる第1導電型の半導体基板(1)と、前記半導体基板の主表面上に形成され、前記半導体基板よりも高抵抗な炭化珪素よりなる第1導電型の半導体層(2)と、前記半導体層の表層部の所定領域に形成され、所定深さを有する第2導電型のベース領域(3)と、前記ベース領域の表層部の所定領域に形成され、該ベース領域の深さよりも浅い第1導電型のソース領域(4)と、前記ベース領域のうち前記ソース領域及び前記半導体層に挟まれた部分の上に形成されたゲート絶縁膜(7)と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極(8)と、前記ベース領域及び前記ソース領域と接触するように形成されたソース電極(10)と、前記半導体基板(1)の裏面に形成されたドレイン電極(11)とを備える炭化珪素半導体装置において、前記ゲート電極の下に形成されるチャネル領域を流れる電流の方向が[11-20]に設定されていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。

FI (6)：

H01L 29/78 652 E ,  H01L 29/78 301 Q ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 F

F-Term (6)：

5F040DA22 ,  5F040DC02 ,  5F040DC10 ,  5F040EA05 ,  5F040EC07 ,  5F040EM00