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J-GLOBAL ID:200903053544736797
磁気抵抗効果形センサ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
富村 潔
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994258877
Publication number (International publication number):1995221365
Application date: Sep. 28, 1994
Publication date: Aug. 18, 1995
Summary:
【要約】【目的】 ペロブスカイト様の結晶構造を有し、また高められた磁気抵抗効果を示すそれぞれ1つのセンサ材料から成る少なくとも2つの層3、4から成る層系2を有する磁気抵抗効果形センサを、その温度依存性が減ぜられるように改善する。【構成】 各層3、4のセンサ材料が(A1)1-x (A2)x MnOz (ここでA1はランタン(La)を含むランタナイドの群またはイットリウム(Y)から選択された三価の成分、またA2はアルカリ土類金属の群または鉛(Pb)から選択された二価の成分であり、0.1≦x≦0.9かつ2.0≦z≦3.5)をベースとする組成を有し、また層系2の第2の層4のセンサ材料がその成分A1、A2、MnおよびOの少なくとも1つの成分または元素に関して層系2の第1の層3の材料と、層系2の電気抵抗の温度依存性が各個の層3、4の電気抵抗の温度依存性にくらべて減ぜられているように異なっている。
Claim (excerpt):
ペロブスカイト様の結晶構造を有し、また高められた磁気抵抗効果を示すそれぞれ1つのセンサ材料から成る少なくとも2つの層(3、4)から成る層系(2)を有する磁気抵抗効果形センサにおいて、a)各層(3、4)のセンサ材料が(A1)1-x (A2)x MnOzここで-ランタン(La)を含むランタナイドの群またはイットリウム(Y)から選択された三価の成分A1-アルカリ土類金属の群または鉛(Pb)から選択された二価の成分A2-0.1≦x≦0.9かつ2.0≦z≦3.5をベースとする組成を有し、またb)層系(2)の第2の層(4)のセンサ材料がその成分A1、A2、MnおよびOの少なくとも1つの成分または元素に関して層系(2)の第1の層(3)の材料と、層系(2)の電気抵抗(R)の温度依存性が各個の層(3、4)の電気抵抗の温度依存性にくらべて減ぜられているように異なっていることを特徴とする磁気抵抗効果形センサ。
IPC (8):
H01L 43/08
, C01G 45/00
, C23C 14/08
, C23C 14/28
, G01D 5/18
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/18
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開平2-294083
-
特開平3-196508
-
スピン相互作用素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-219595
Applicant:株式会社日立製作所
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