Pat
J-GLOBAL ID：200903053545224153
静電容量式センサ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995101771
Publication number (International publication number)：1996278105
Application date： Apr. 03, 1995
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：
【要約】【目的】 高い信頼性を保ちながら高速応答性を実現できる静電容量式センサを提供する。【構成】 受信電極が形成されたメインスケールと、送信電極及び検出電極が形成されたスライダとが相対移動可能に対向配置され、相対位置により変化する対向電極間の静電容量を検出して変位測定を行う静電容量式センサであり、スライダは、ガラス基板21を用いて、このガラス基板21上に、TaNx膜201とこれに積層形成されたTa膜202とからなる積層構造の第1層電極が形成され、層間絶縁膜24を介して、TaNx膜203とこれに積層形成されたTa膜204とからなる積層構造の第2層電極が形成されている。
Claim (excerpt)：
それぞれに複数の電極が配列形成された第1,第2のスケールが相対移動可能に対向配置され、相対位置により変化する対向電極間の静電容量を検出して変位測定を行う静電容量式センサにおいて、前記第1,第2のスケールの少なくとも一方は、ガラス基板を用いて構成され、このガラス基板上に形成された電極がTaNx膜又はW膜とこれに積層形成されたTa膜とからなる積層構造を有することを特徴とする静電容量式センサ。
IPC (2)：
FI (2)：
G01B 7/00 K
, G01D 5/24 C
