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J-GLOBAL ID：200903053561451984

フオトリフラクテイブ素子用のCdTe単結晶とその製造方法

Inventor： 小川 貴史
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Agent (1)： 上田 章三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991228928
Publication number (International publication number)：1993070298
Application date： Sep. 09, 1991
Publication date： Mar. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 応答性に優れ、高感度、高効率のフォトリフラクティブ素子用のCdTe単結晶とその製造方法を提供すること。【構成】 不純物金属原子がドーピングされてそのエネルギーバンドギャップ中に深いトラップ準位を有するフォトリフラクティブ素子用のCdTe単結晶であって、不純物金属原子がGaにより構成され、かつこのGa濃度が5×1016atoms/cm3 以上,5×1018atoms/cm3 以下であり、その他の不純物原子の総原子濃度が7×1014atoms/cm3 以下であることを特徴とする。そして、従来のIn等に代えてGa原子を適用したことによりCdTe単結晶の結晶性が改善され、かつ結晶中の熱励起に伴うキャリアの生成が抑制されてその比抵抗値も高くなるため光照射による充分なPF効果を生じさせることが可能となる。

Claim (excerpt)：

不純物金属原子がドーピングされてそのエネルギーバンドギャップ中に深いトラップ準位を有するフォトリフラクティブ素子用のCdTe単結晶において、上記不純物金属原子がGaにより構成され、かつ、このGa濃度が5×1016atoms/cm3 以上,5×1018atoms/cm3 以下であり、その他の不純物原子の総原子濃度が7×1014atoms/cm3 以下であることを特徴とするフォトリフラクティブ素子用のCdTe単結晶。

IPC (4)：

C30B 29/48 ,  C30B 11/00 ,  G02F 1/35 ,  G03H 1/02