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J-GLOBAL ID：200903053562048547

反射防止膜およびこれを用いたパターン形成方法

Inventor： 塘 洋一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994194034
Publication number (International publication number)：1996064492
Application date： Aug. 18, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 コンフォーマルな有機色素系反射防止膜を用い、寸法精度の高いパターン形成を行う。【構成】 フォトレジスト溶媒よりも高い極性を有する溶媒に可溶で、150〜450nmの波長域で光吸収を示す無金属フタロシアニンのコンフォーマルな蒸着膜を、反射防止膜3として用いる。この上に露光と現像によりフォトレジスト・パターン4aを形成し、O2 プラズマRIEで反射防止膜3の表出部を除去した後、下地材料膜2を異方的にエッチングする。フォトレジスト・パターン4aと反射防止膜パターン3aとは、無機系または有機系のレジスト剥離液を用いるか、またはアッシングを行って同時に除去する。【効果】 エキシマ・レーザ・リソグラフィにおいて、反射防止効果を基板面内で均一化し、フォトレジスト・パターン4aの寸法変動を抑制できる。

Claim (excerpt)：

フォトレジスト溶媒よりも高い極性を有する溶媒に可溶であり、かつ150〜450nmの波長域で光吸収を示す有機化合物からなる反射防止膜。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08

FI (2)：

H01L 21/30 574 ,  H01L 21/30 575