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J-GLOBAL ID：200903053569325520

3次元構造の発光素子及びその製造方法

Inventor： 崔 在 榮 ,  崔 乗 龍 ,  李 東 旗 ,  薛 光 洙 ,  崔 誠 宰
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (6)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸 ,  藤田 健 ,  都祭 正則 ,  長谷川 俊弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006339094
Publication number (International publication number)：2007227355
Application date： Dec. 15, 2006
Publication date： Sep. 06, 2007
Summary：

【課題】発光効率に優れている発光素子を提供する。【解決手段】表面に複数の凹凸構造を含む基板と、前記基板の表面に配置された、半導体ナノ粒子からなる半導体ナノ粒子層と、を含むことを特徴とする、3次元構造の発光素子。【選択図】図2b

Claim (excerpt)：

表面に複数の凹凸構造を含む基板と、 前記基板の表面に配置された、半導体ナノ粒子からなる半導体ナノ粒子層と、 を含むことを特徴とする、3次元構造の発光素子。

IPC (3)：

H05B 33/14 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/10

FI (3)：

H05B33/14 Z ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

F-Term (16)：

3K107AA01 ,  3K107AA06 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC04 ,  3K107CC45 ,  3K107DD12 ,  3K107DD13 ,  3K107DD14 ,  3K107DD57 ,  3K107DD71 ,  3K107DD74 ,  3K107DD84 ,  3K107GG06 ,  3K107GG12 ,  3K107GG22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 米国特許公開第2003/0057417号
  
• 韓国特許公開第2005-0025919号
  
• 日本特許公開第2004-87615号