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J-GLOBAL ID：200903053576966000
単結晶SiCおよびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 孝一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998094954
Publication number (International publication number)：1999315000
Application date： Apr. 07, 1998
Publication date： Nov. 16, 1999
Summary：
【要約】【課題】 格子欠陥およびマイクロパイプ欠陥の非常に少ない高品位の単結晶を非常に生産性よく製造することができるようにする。【解決手段】 α-SiC単結晶基板1とSi原子及びC原子により構成されるβ-SiC多結晶板2とを両者の対向面1a,2a間に微少隙間3を形成するように互いに平行に対峙させた状態で、それら両板1,2を不活性ガス雰囲気、かつ、SiC飽和蒸気圧の雰囲気下で、α-SiC単結晶基板1側が低温に保たれるように熱処理することにより、微少隙間3内でSi及びC原子を昇華再結晶させてα-SiC単結晶基板1上に単結晶を析出させ、その析出された単結晶を種結晶としてβ-SiC多結晶板2を単結晶に変態させることによりα-SiC単結晶基板1の結晶軸と同方位に配向された単結晶を一体に育成させる。
Claim (excerpt)：
SiC単結晶基板とSi原子及びC原子により構成された板材とを微少隙間を隔てて互いに平行に対峙させた状態で、大気圧以下の不活性ガス雰囲気、かつ、SiC飽和蒸気雰囲気下で、上記SiC単結晶基板側が上記板材よりも低温に保たれるように熱処理することにより、上記微小隙間内でSi原子及びC原子を昇華再結晶させて上記SiC単結晶基板上に単結晶を析出させるとともに、この析出単結晶を種結晶として上記板材を単結晶に変態させて上記SiC単結晶基板の結晶軸と同方位に配向された単結晶が一体に成長されていることを特徴とする単結晶SiC。
IPC (2)：
FI (2)：
C30B 29/36 A
, C30B 23/00
