Pat
J-GLOBAL ID：200903053589928336
アモルファスシリコン薄膜の成膜方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 正次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992163667
Publication number (International publication number)：1993335244
Application date： May. 29, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体材料としての膜質を確保できると共に、半導体デバイスの製造上、必要とされる膜厚を短時間で成膜する方法を提供する。【構成】 プラズマCVD法で基板4の表面にアモルファスシリコン薄膜を成膜する方法において、成膜初期は連続放電で成膜し、次いで間欠放電で必要な膜厚まで成膜する。
Claim (excerpt)：
プラズマCVD法で基板表面にアモルファスシリコン薄膜を成膜する方法において、成膜初期は連続放電で成膜し、次いで間欠放電で必要な膜厚まで成膜することを特徴とするアモルファスシリコン薄膜の成膜方法。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
