Pat

J-GLOBAL ID：200903053598017052

窒化シリコン系絶縁膜の製造方法

Inventor： 荒木 新一 ,  植木 善夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992292031
Publication number (International publication number)：1994120157
Application date： Oct. 06, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 誘導率の安定を図り、高精度キャパシタに特に適した窒化シリコン系絶縁膜の製造方法を提供すること。【構成】 窒化シリコン系絶縁膜18を、シラン系ガスとアンモニア系ガスとを用いた減圧化学気相成長法により製造する方法において、シラン系ガスに対するアンモニア系ガスの体積流量比を、4〜10とし、減圧化学気相成長法により窒化シリコン系絶縁膜18を製造する。絶縁膜18が形成される基板4は、740〜760°Cに加熱することが好ましい。また、減圧化学気相成長法は、バッチ式で行なわれることが好ましい。

Claim (excerpt)：

窒化シリコン系絶縁膜を、シラン系ガスとアンモニア系ガスとを用いた減圧化学気相成長法により製造する方法において、シラン系ガスに対するアンモニア系ガスの体積流量比を、4〜10とし、減圧化学気相成長法により窒化シリコン系絶縁膜を製造することを特徴とする窒化シリコン系絶縁膜の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/283

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-117841
  
• 特開昭63-314827
  
• 特開平3-280461
  
• 特開平4-065830