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J-GLOBAL ID：200903053601471525

プラズマ処理方法

Inventor： 輿水 地塩 ,  宋 鉄軍
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 金本 哲男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993128495
Publication number (International publication number)：1994314665
Application date： Apr. 28, 1993
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ヘリコン波のエネルギーを利用したプラズマ雰囲気中で、被処理体に対して処理を施すに当たり、被処理体上のプラズマ密度を均一化させる。【構成】 電磁コイル25とRF帯域の高周波が印加されるアンテナ22とによってプラズマ発生室20内にプラズマを発生させる。プラズマ処理室30内のサセプタ33下方の補助電磁コイル41、42の作動によって、サセプタ33上の半導体ウエハW上に電子サイクロトロン共鳴領域を形成させると、当該電子サイクロトロン共鳴領域でのプラズマ密度は高くなる。【効果】 小さいレベルでの僅かな磁場強度の差によってプラズマ密度をコントロールでき、被処理体上のプラズマ密度を均一化することが可能である。部分的な調整も可能である。

Claim (excerpt)：

交番電界と磁場によって発生させたヘリコン波のエネルギーを利用してプラズマを発生させ、処理室内の被処理体に対して前記プラズマ雰囲気の下で処理を施す方法において、高周波電力を印加することによって前記交番電界を創出させ、さらに被処理体近傍で電子サイクロトロン共鳴領域を形成させることを特徴とする、プラズマ処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-156528
  
• 特開昭63-213345
  
• 特開平4-156526