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J-GLOBAL ID：200903053602720146

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 石川 修 ,  太田 順道 ,  前田 昌宏 ,  西嶋 将明
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992044408
Publication number (International publication number)：1993243396
Application date： Mar. 02, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 基板厚さが100ミクロン以下と薄くても基板歪がなく、電気的特性が安定な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的としている。【構成】 GaAs基板1の表面に半導体素子が形成された半導体チップの、殆ど裏面全面に高融点金属または高融点金属シリサイド等の高融点金属4を含む金属膜が堆積されている構成とする。

Claim (excerpt)：

表面に半導体素子が形成された半導体チップの、殆ど裏面全面に高融点金属または高融点金属シリサイド等の高融点金属を含む金属膜が堆積されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  H01L 29/44

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-215642
  
• 特開昭57-152649
  
• 特開昭61-019031