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J-GLOBAL ID：200903053610263811

ナノ粒子デバイス及びナノ粒子デバイスの製造方法

Inventor：
野田 優

About 野田 優


Applicant, Patent owner：
独立行政法人科学技術振興機構

About 独立行政法人科学技術振興機構


Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2004012261
Publication number (International publication number)：WO2005022565
Application date： Aug. 26, 2004
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：
高密度配列が可能なナノ粒子デバイス及びナノ粒子デバイスの製造方法を提供する。基板(1)上に非エピタキシャル成長により下地微結晶膜(2)を形成し、この下地微結晶膜(2)の材料とナノ粒子材料(4)の格子定数を適合させ、前記下地微結晶膜(2)の個々の下地微結晶の表面を微小空間として用い、前記下地微結晶にローカルにエピタキシャル成長させ、前記微小空間毎にナノ粒子を生成する。
Claim (excerpt)：
(a)単層ないし多層基板と、 (b)該基板上に堆積される面内非配向かつ面外配向した下地微結晶膜と、 (c)前記下地微結晶膜の個々の下地微結晶に個々にローカルエピタキシーしたナノ粒子とを具備することを特徴とするナノ粒子デバイス。
IPC (7)：
B82B 1/00 ,  H01F 41/18 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/738 ,  G11B 5/851 ,  B82B 3/00 ,  H01F 10/14
FI (7)：
B82B1/00 ,  H01F41/18 ,  G11B5/65 ,  G11B5/738 ,  G11B5/851 ,  B82B3/00 ,  H01F10/14
F-Term (23)：
5D006BB09 ,  5D006CA01 ,  5D006CA05 ,  5D006DA03 ,  5D006DA08 ,  5D006EA03 ,  5D006FA09 ,  5D112AA03 ,  5D112AA05 ,  5D112AA24 ,  5D112BB02 ,  5D112BB07 ,  5D112BD02 ,  5D112FA04 ,  5D112FB04 ,  5D112GB02 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA08 ,  5E049DB01 ,  5E049EB06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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