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J-GLOBAL ID:200903053610328026

tert-ブトキシカルボニル基で部分エステル化されたp-ヒドロキシαメチルスチレン-スチレンブロック共重合体及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 隆司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992214675
Publication number (International publication number):1994032851
Application date: Jul. 20, 1992
Publication date: Feb. 08, 1994
Summary:
【要約】【目的】 アルカリで容易に現像することができると共に、単分散性で高現像性及び高解像度を有し、機能性高分子としてレジスト材料等の用途に好適なポリマーを提供する。【構成】 重量平均分子量(Mw)/数平均分子量(Mn)が1.01〜1.5の単分散性のp-ヒドロキシαメチルスチレンとスチレンとのブロック共重合体中のポリp-ヒドロキシαメチルスチレン部の水酸基を部分的にtert-ブトキシカルボニル化して、下記構造式(1),(2)及び(3)で示される繰り返し単位を有し、かつ分子量分布が重量平均分子量(Mw)/数平均分子量(Mn)=1.01〜1.5であるポリp-ヒドロキシαメチルスチレン部の水酸基がtert-ブトキシカルボニル基で部分エステル化されたp-ヒドロキシαメチルスチレン-スチレンブロック共重合体を得る。【化1】
Claim (excerpt):
下記構造式(1),(2)及び(3)で示される繰り返し単位を有し、かつ分子量分布が重量平均分子量(Mw)/数平均分子量(Mn)=1.01〜1.5であることを特徴とするポリp-ヒドロキシαメチルスチレン部の水酸基がtert-ブトキシカルボニル基で部分エステル化されたp-ヒドロキシαメチルスチレン-スチレンブロック共重合体。【化1】
IPC (2):
C08F297/02 MRD ,  C08F 8/14 MGN

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