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J-GLOBAL ID：200903053650075198
軟磁性薄膜の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991344030
Publication number (International publication number)：1993159961
Application date： Dec. 03, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：
【要約】【構成】次のRFスパッタ装置を用いて基板上にFe-Zr-N非晶質膜を製膜した。サブストレート(基板)ホルダー1は、軸1Aを有し、その軸を中心として矢印の方向に自転する。カソード3は、ターゲットと一体化したコンベンショナルカソードであり、3つのカソードの各々は前記軸1Aの延長線からほぼ等しい距離をおいて固定されている。前記基板2は、サブストレートホルダーがカソードと対向する面側に固定され、薄膜を形成しようとする面をカソード3に対向させている。カソード3のサブストレートホルダーと対向する面と、前記基板の薄膜を形成しようとする面とは略平行である。サブストレートホルダーの自転により、基板は円軌道上を移動する。得られた膜を、無磁界中、10TorrN2雰囲気中で、550°Cで4時間熱処理した。【効果】サブストレートホルダーの半径方向に対応する方向を容易軸とする異方性磁界約20eの軟磁性膜を得た。
Claim (excerpt)：
積着して薄膜を形成する粒子の発生源に対し、軟磁性薄膜を形成しようとする薄膜被形成体を相対的に移動させて、前記粒子を前記薄膜被形成体に積着させて軟磁性薄膜を形成する製造方法であって、形成しようとする軟磁性薄膜の面内において高い高周波透磁率を得ようとする主たる方向に、前記発生源に対し前記薄膜被形成体を相対的に移動させることを特徴とする軟磁性薄膜の製造方法。
IPC (2)：
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