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J-GLOBAL ID：200903053664701610
青色発光素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993238553
Publication number (International publication number)：1995094784
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】 電極位置などの構造上の制限の受けず、しかも、高効率の発光が可能なGaN系青色発光素子を提供することである。【構成】 GaNを基板3とし該基板上に複数のGaN系化合物半導体が積層されて積層体が形成され、この積層体の両最外層の各々に電極1,2が設けられてなる青色発光素子Aであって、該複数のGaN系化合物半導体が、p-n接合される層4,6を含むものや、1重または2重ヘテロ接合構造、1つまたは多重の量子井戸構造を含むもの等が例示される。
Claim (excerpt)：
GaNを基板とし該基板上に複数のGaN系化合物半導体からなる積層体が形成され、この積層体の両最外層の各々に電極が設けられてなる青色発光素子。
IPC (2)：
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