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J-GLOBAL ID：200903053669635348

歪み半導体材料から成る層の転移方法

Inventor：
ブリュノ、ギスレン

About ブリュノ、ギスレン

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ダニエル、ベンサエル

About ダニエル、ベンサエル

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トーマス、スコトニッキ

About トーマス、スコトニッキ


Applicant, Patent owner：
エス.オー.アイ.テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ

About エス.オー.アイ.テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ


Agent (6)： 吉武 賢次 ,  玉真 正美 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004519124
Publication number (International publication number)：2005532686
Application date： Jul. 09, 2003
Publication date： Oct. 27, 2005
Summary：
ドナーウエハから得られる歪み半導体材料から成る薄い層を備える電子構造を製造する方法であって、ドナーウエハが格子定数マッチング層(2)を備え、前記格子定数マッチング層が上側層を備え、前記上側層が第1の格子定数を有する半導体材料から成り、半導体材料から成る膜(3)は、前記第1の格子定数と実質的に異なる第2の名目格子定数を有するとともに、マッチング層(2)によって歪みが加えられ、また、プロセスは、膜(3)を受け基板(4)へ転移させることを含む。本発明に係るプロセスのうちの1つを使用して製造される構造。
Claim (excerpt)：
ドナーウエハ(10)から得られる歪み半導体材料から成る薄い層を備える構造を製造する方法であって、前記ドナーウエハ(10)が格子定数マッチング層(2)を備え、前記格子定数マッチング層が上側層を備え、前記上側層が第1の格子定数を有する半導体材料から選択される材料から成る方法において、 (a)半導体材料から選択される材料から成る膜(3)を前記マッチング層(2)の前記上側層上に成長させるステップであって、前記膜(3)が前記第1の格子定数と実質的に異なる名目格子定数を有する材料から成り、成長した前記膜が、その下側にある前記マッチング層の前記上側層の前記第1の格子定数を維持し、歪みを加えるのに十分に小さな厚みを有するステップと、 (b)前記マッチング層(2)中に脆化領域を形成するステップと、 (c)前記膜(3)上で前記ドナーウエハ(10)と受け基板(4)とを結合させるステップと、 (d)前記ドナーウエハ(10)の一部を除去するステップであって、前記脆化領域のレベルで分離するためにエネルギを供給することを含み、前記ドナーウエハ(10)の一部が前記膜(3)を含み、それにより、製造する構造を形成するステップと、 を含むことを特徴とする構造の製造方法。
IPC (3)：
H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20
FI (3)：
H01L27/12 B ,  H01L21/02 B ,  H01L21/20
F-Term (19)：
5F152LL03 ,  5F152LL09 ,  5F152LN07 ,  5F152LN08 ,  5F152LN13 ,  5F152LP01 ,  5F152LP02 ,  5F152LP07 ,  5F152LP09 ,  5F152MM19 ,  5F152NN03 ,  5F152NP01 ,  5F152NP02 ,  5F152NP03 ,  5F152NP04 ,  5F152NP12 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NQ03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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