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J-GLOBAL ID：200903053669796937
反射型スイッチ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992241829
Publication number (International publication number)：1994097799
Application date： Sep. 10, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 信号を通過させる主線路の一点にFETを接続し、FETをオン/オフさせることでしゃ断/通過の状態をつくる反射型スイッチにおいてしゃ断量を大きくする。【構成】 主線路とFETとFETのドレイン-ソース間を接続するインダクタとバイアホールとFETのソースとバイアホールを接続するキャパシタと主線路に接続されたインダクタとインダクタに接続されたバイアホールから構成される。【効果】 バイアホールのもつ誘導成分と半導体基板上に設けたキャパシタとを共振させることでFETがオンの時の接地回路のインピーダンスを下げ、スイッチとしてのしゃ断量を大きくする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に構成された一体型マイクロ波集積回路において、信号である高周波を通す主線路と、主線路にドレインが接続されたFETと、上記FETのドレインに一端が接続され、かつ他端が上記FETのソースと接続され、上記FETのもつ容量成分との合成インピーダンスが使用周波数において極大値を持つようなインダクタと、一端が上記FETのソースに接続され、かつ他端が半導体基板に設けられたバイアホールを介して接地され、かつ前記バイアホールの誘導成分との合成インピーダンスが使用周波数において極小となるような容量値をもった半導体基板上に設けられた薄膜キャパシタとで構成され、上記FETのゲート電圧を変化させることでオン/オフさせるようにしたことを特徴とする反射型スイッチ。
Patent cited by the Patent：
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