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J-GLOBAL ID：200903053673710168

亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法

Inventor： 松村 英樹
Applicant, Patent owner： 新技術事業団
Agent (1)： 長谷川 文廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995068270
Publication number (International publication number)：1996264794
Application date： Mar. 27, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 低温処理により高移動度の金属酸化物半導体の薄膜トランジスタと、pn接合を形成した金属酸化物薄膜半導体装置及びその安価な製造方法を提供する。【構成】 ガラス基板21にAl等のゲート電極22を形成しSi酸化膜か窒化膜のゲート絶縁膜23を堆積した上に、銅等の金属膜24,24′を堆積しパターニングしてソース・ドレイン電極を形成する。次にSiNの絶縁膜26を全体に堆積し、ガラス基板の裏面から露光し、ゲート電極パターンをマスクとして絶縁膜26に開孔し、TFTのチャネル部とゲート電極22を自己整合させる。次いで200〜400°Cの低温で熱酸化やプラズマ酸化等により、金属膜24の露出した一部領域は酸化して金属酸化物半導体25に変わる。全体を絶縁膜27で被覆し電極取出し部に開孔する。また酸素過剰による欠陥は水素やLi,Na等の導入でキャリア密度及び導電型を制御できる。

Claim (excerpt)：

基板上に,形成した金属薄膜を酸化処理することにより半導体化した金属酸化物半導体とを備えることを特徴とする金属酸化物半導体による薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (2)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/72