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J-GLOBAL ID：200903053683597920

高周波誘導加熱用のトランジスタインバータ装置

Inventor： 宮崎 力 ,  川嶋 茂義
Applicant, Patent owner： 株式会社ミヤデン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993243812
Publication number (International publication number)：1995073961
Application date： Sep. 02, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 装置の小型化とコストダウンが図れると共に、使用の変更に容易に対応し得る、高周波誘導加熱用のトランジスタインバータ装置を提供する。【構成】 インバータ回路のフルブリッジに接続されたFETを駆動回路によってオン・オフさせて、高周波電流を得る高周波トランジスタインバータ装置において、駆動回路が、その一次側コイルが発振回路に接続された入力側のトランスと、このトランスの2つの二次側コイルに接続された一対のトランジスタと、このトランジスタの出力側に、その一次側コイルが接続され、2つの二次側コイルが、FETの2個に接続された出力側のトランスとを具備し、駆動回路を、1枚の基板上に2組配置すると共に、駆動回路のトランジスタを、基板外に設けた電源トランスで駆動させる。

Claim (excerpt)：

インバータ回路のフルブリッジに接続されたFETを駆動回路によってオン・オフさせて、高周波電流を得る高周波トランジスタインバータ装置において、前記駆動回路が、その一次側コイルが発振回路に接続された入力側のトランスと、該トランスの2つの二次側コイルに接続された一対のトランジスタと、該トランジスタの出力側に、その一時側コイルが接続され、2つの二次側コイルが、前記FETの2個に接続された出力側のトランスとを具備し、前記駆動回路を、1枚の基板上に2組配置すると共に、該駆動回路のトランジスタを、基板外に設けた電源トランスで駆動させることを特徴とする高周波誘導加熱用のトランジスタインバータ装置。