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J-GLOBAL ID：200903053687428350

プラズマ処理方法および装置

Inventor： 須賀 秀幸 ,  玉井 高広 ,  小笠原 充 ,  丸茂 宏
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994003846
Publication number (International publication number)：1995211769
Application date： Jan. 19, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 静電吸着の解除手順の簡略化およびプラズマ処理でのスループットの向上を実現することが可能なプラズマ処理技術を提供する。【構成】 誘電体層7を介してウェハ5を支持するステージ6とプラズマ発生用電極2との間に高周波電源1から印加される高周波電力によって形成されたプラズマ4と静電吸着用DC電源8からステージ6に印加されている直流電圧によりステージ6に静電吸着させて所望のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、制御部9は、ステージ6に静電吸着用DC電源8から直流電圧を印加したままで、プラズマ4の形成を停止することにより瞬時に静電吸着を解除して、ウェハ5を除電シーケンスを使わずにステージ6から脱離させる制御動作を行う制御論理を備えたものである。

Claim (excerpt)：

直流電圧が印加可能なステージに処理対象物を載置させ、前記ステージに前記直流電圧を印加するとともに、前記処理対象物の近傍にプラズマを形成することにより、静電吸着によって前記処理対象物を前記ステージ上に吸着固定し、その状態で前記プラズマによって前記処理対象物に所望の処理を施すプラズマ処理方法であって、前記ステージに対して前記直流電圧を印加したまま、前記プラズマの形成を停止することにより、前記ステージに対する前記処理対象物の静電吸着の解除を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/3065