薄膜集積回路の剥離方法および半導体装置の作製方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005220262
Publication number (International publication number)：2006066906
Application date： Jul. 29, 2005
Publication date： Mar. 09, 2006
Summary：

【課題】低コストで生産効率がよい薄膜集積回路の剥離方法および当該剥離方法を用いたICチップの作製方法の提供を課題とする。【解決手段】基板上に金属を含んだ膜からなる剥離層を形成し、その剥離層上に複数の薄膜集積回路を形成し、複数の薄膜集積回路上にそれぞれ樹脂膜を形成し、剥離層にフッ化ハロゲンを含む気体または液体を導入して、剥離層を除去して、基板と薄膜集積回路とのを剥離を行う。また、剥離した薄膜集積回路を、ラミネート等により封止することによってICチップを形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に金属を含む剥離層を形成し、前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を形成し、前記複数の薄膜集積回路の上面および側面をそれぞれ樹脂膜で覆い、エッチング剤を用いることにより、前記剥離層を除去し、前記基板と前記複数の薄膜集積回路とを剥離することを特徴とする薄膜集積回路の剥離方法。

IPC (7)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , G06K 19/07 , G06K 19/077

FI (5)：

H01L27/12 B , H01L21/20 , H01L29/78 627D , G06K19/00 H , G06K19/00 K

F-Term (134)：

5B035BA05 , 5B035BB09 , 5B035CA01 , 5B035CA23 , 5F110AA16 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD12 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE30 , 5F110EE31 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG44 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HM13 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN71 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP07 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP24 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5F110QQ28 , 5F152AA03 , 5F152AA06 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC04 , 5F152CC05 , 5F152CC06 , 5F152CD03 , 5F152CD09 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CD16 , 5F152CD17 , 5F152CD23 , 5F152CE03 , 5F152CE05 , 5F152CE12 , 5F152CE45 , 5F152CF18 , 5F152DD07 , 5F152EE03 , 5F152EE06 , 5F152EE16 , 5F152FF02 , 5F152FF03 , 5F152FF04 , 5F152FF05 , 5F152FF06 , 5F152FF07 , 5F152FF08 , 5F152FF11 , 5F152FF21 , 5F152FF28 , 5F152FF30 , 5F152FF32 , 5F152FF35 , 5F152FF36 , 5F152FF37 , 5F152FF39 , 5F152FF47 , 5F152FG01 , 5F152FG04 , 5F152FG12 , 5F152FG18 , 5F152FG23 , 5F152FH02 , 5F152FH03 , 5F152FH11 , 5F152LL03 , 5F152LP01 , 5F152LP08 , 5F152LP09 , 5F152MM04 , 5F152NN12 , 5F152NN14 , 5F152NN16 , 5F152NN19 , 5F152NN20 , 5F152NP13 , 5F152NP14 , 5F152NP17 , 5F152NQ03 , 5F152NQ13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

剥離方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-300371 Applicant：セイコーエプソン株式会社
表示装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-086457 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Cited by examiner (1)

半導体装置及びその作製方法、剥離方法並びに転写方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-379578 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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