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J-GLOBAL ID：200903053689282719

半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor： 宮下 宗治
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993161259
Publication number (International publication number)：1995022693
Application date： Jun. 30, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】 活性層が量子井戸活性層である必要のない、また、多重量子井戸活性層を用いた場合であっても特性の劣化の少ない、窓構造を有した半導体レーザ装置およびその製造方法を得る。【構成】 レーザ端面近傍以外の領域を構成する面が(100)just面15であり、レーザ端面近傍の領域を構成する面が(100)just面に対して[011]または[0/11]方向またはその間の方向に傾いた面16であるn型GaAs基板1上に、n型AlGaAs下クラッド層2,アンドープAlGaAs活性層3,p型AlGaAs上クラッド層4,p型GaAsキャップ層5を順次成長してダブルヘテロ構造を形成した。

Claim (excerpt)：

第1導電型の基板の一主面上に第1導電型下クラッド層,活性層,第2導電型上クラッド層を順次形成したダブルヘテロ構造を有する半導体レーザ装置において、上記基板は、上記一主面として、レーザ端面近傍以外の領域を構成する(100)just面もしくはこれと等価のjust面と、レーザ端面近傍の領域を構成する,上記just面に対して傾いた面とを備えたものであり、レーザ端面近傍の上記活性層の禁制帯幅が、レーザ端面近傍以外の上記活性層の禁制帯幅よりも大きいことを特徴とする半導体レーザ装置。