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J-GLOBAL ID：200903053703419250

II-VI族化合物半導体及びその形成方法

Inventor： 樋江井 太 ,  伊藤 哲 ,  秋本 克洋
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993134100
Publication number (International publication number)：1994326138
Application date： May. 13, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】高いネットアクセプター濃度(Na-Nd)を有するp型のII-VI族化合物半導体、及びその形成方法を提供する。【構成】本発明のII-VI族化合物半導体は、I族元素、V族元素及び酸素元素をp型ドーパントとして含んで成る。II-VI族化合物半導体の形成方法は、基板上に、I族元素、V族元素及び酸素元素をp型ドーパントとして含んで成るp型II-VI族化合物半導体層を分子線エピタキシー法にて形成する。

Claim (excerpt)：

I族元素、V族元素及び酸素元素をp型ドーパントとして含んで成るII-VI族化合物半導体。

IPC (4)：

H01L 21/363 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/48 ,  H01S 3/18