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J-GLOBAL ID：200903053710027929
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992041808
Publication number (International publication number)：1993243277
Application date： Feb. 28, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体基板を歩留り良く、かつ精度良く超薄層化した超高周波用FETの製造方法を提供する。【構成】 半導体基板の一方の主面に第一の半導体層と第二の半導体層を積層し形成する工程と、前記半導体基板を他方の主面から前記第一の半導体層までドライエッチングを施し除去する工程と、前記第一の半導体層上に金属層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。
Claim (excerpt)：
半導体基板の一方の主面に第一の半導体層と第二の半導体層を積層し形成する工程と、前記半導体基板を他方の主面から前記第一の半導体層までドライエッチングを施し除去する工程と、前記第一の半導体層上に金属層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
