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J-GLOBAL ID：200903053747603946

アクティブマトリクス素子及びその製造方法

Inventor： 山田 高幸 ,  山田 想 ,  曳地 丈人
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 阪本 清孝 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993124729
Publication number (International publication number)：1994317812
Application date： Apr. 30, 1993
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 データの書き込み特性を低下させずに、オフ電流を低減して画素電位保持性を向上させ、液晶の蓄積容量部の面積を縮小して画素の開口率を向上させることができ、書き込み電荷の正負によって特性が変化しないアクティブマトリクス素子及びその製造方法を提供する。【構成】 ロの字型の半導体活性層2の底辺部を横切るようにゲート電極4a,4bが形成され、半導体活性層2の内、ゲート電極4a,4bの下部がチャネル領域2c,2c′となり、チャネル領域2c,2c′の各々の左側に隣接してオフセット領域2d,2eが形成され、チャネル領域2cと2c′の間の中央部の高濃度領域2fにデータ電極7が接続し、半導体活性層2の両端部の高濃度領域2a,2bに画素電極8a,8bが接続し、画素電極8a,8bが共通電極となるアクティブマトリクス素子及びその製造方法である。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された半導体活性層と、前記半導体活性層を横切るように絶縁層を介して形成された第1及び第2のゲート電極とを有するアクティブマトリクス素子において、前記半導体活性層の両端部に不純物濃度の高い端部高濃度領域を形成し、前記端部高濃度領域が共通の電極に接続し、前記第1のゲート電極の下部の前記半導体活性層部分が不純物を含まない第1のチャネル領域を形成し、前記第2のゲート電極の下部の前記半導体活性層部分が不純物を含まない第2のチャネル領域を形成し、前記第1のチャネル領域と前記第2のチャネル領域との間に不純物濃度の高い中央部高濃度領域を形成し、前記中央部高濃度領域が別の電極に接続し、前記第1のチャネル領域と前記端部高濃度領域との間に不純物濃度の低い第1のオフセット領域を形成し、前記第2のチャネル領域と前記中央部高濃度領域との間に不純物濃度の低い第2のオフセット領域を形成したことを特徴とするアクティブマトリクス素子。

IPC (4)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/133 550 ,  H01L 29/784